Erzeugung und Charakterisierung metallischer Nanostrukturen by Martin Hugelmann PDF

By Martin Hugelmann

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Da UFB aus Impedanzmessungen bei Sperrpolung bestimmt wird, fließt ein vernachlässigbarer Sperrstrom durch den Kontakt, die Messung ist also nahezu stromunabhängig. Dies erlaubt das Flachbandpotential einer Halbleiter/Elektrolyt-Grenzfläche in Bezug zu einer Referenzelektrode aus dem entsprechenden Abzissenabschnitt zu bestimmen [73]. Ein typischer Mott-Schottky-Plot ist in Abb. 30 gegeben: RLZ Abb. 30: Schematische Darstellung eines Mott-Schottky-Plots. Der durchgezogene Kurvenanteil repräsentiert den messbaren Bereich.

Die Energie als Einheit wird jedoch einzig in Zusammenhang mit den Bändermodellen eingesetzt. 2 Grundlagen 36 Halbleiterelektrode und Referenzelektrode unterhalb der Flachbandspannung3 UFB adjustiert sein, um Kationen an der Grenzfläche zu entladen (Abb. 22). UnHl > UFB (Verarmungsrandschicht) UnHl = UFB (Flachbandfall) UnHl < UFB (Anreicherungsrandschicht) Abb. 22: Bandverlauf an der Oberfläche eines n-Halbleiters in Abhängigkeit vom Elektrodenpotential UnHl. Je nach Lage des Gleichgewichtspotentials in Bezug zum Flachbandpotential des Halbleiters zeigt die Metallabscheidung auf Halbleiteroberflächen unterschiedliches Verhalten.

Die Methode ist wechselwirkungsunabhängig und kann durch die rein elektrochemische Abscheidung in nahezu jedem elektrochemischen System eingesetzt werden. ) Die Abbildungsqualität der Spitze bleibt erhalten. ) Die rein elektrochemische Erzeugung gewährleistet ein defektfreies Wachstum. ) Durch Wiederholen der Routine können ausgedehnte Strukturen erzeugt werden. 4 Herstellung von Nanostrukturen im EC-STM 51 Abb. 36: Schematische Darstellung der Erzeugung von 1D Strukturen durch Auswachsen von 0D Cluster.

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